მაღალი სისუფთავის გოგირდი

დღეს ჩვენ მაღალი სისუფთავის გოგირდზე ვისაუბრებთ.
გოგირდი გავრცელებული ელემენტია მრავალფეროვანი გამოყენებით. ის გვხვდება დენთში („ოთხი დიდი გამოგონებიდან“ ერთ-ერთი), გამოიყენება ტრადიციულ ჩინურ მედიცინაში მისი ანტიმიკრობული თვისებების გამო და გამოიყენება რეზინის ვულკანიზაციაში მასალის მუშაობის გასაუმჯობესებლად. თუმცა, მაღალი სისუფთავის გოგირდს კიდევ უფრო ფართო გამოყენება აქვს:
მაღალი სისუფთავის გოგირდის ძირითადი გამოყენება
1. ელექტრონიკის ინდუსტრია
ნახევარგამტარი მასალები: გამოიყენება სულფიდური ნახევარგამტარების (მაგ., კადმიუმის სულფიდი, თუთიის სულფიდი) დასამზადებლად ან როგორც დამატების საშუალება მასალის თვისებების გასაუმჯობესებლად.
o ლითიუმის აკუმულატორები: მაღალი სისუფთავის გოგირდი ლითიუმ-გოგირდის აკუმულატორის კათოდების კრიტიკული კომპონენტია; მისი სისუფთავე პირდაპირ გავლენას ახდენს ენერგიის სიმკვრივესა და ციკლის ხანგრძლივობაზე.
2. ქიმიური სინთეზი
o მაღალი სისუფთავის გოგირდმჟავას, გოგირდის დიოქსიდის და სხვა ქიმიკატების წარმოება, ან გოგირდის წყაროდ ორგანულ სინთეზში (მაგ., ფარმაცევტული შუალედური პროდუქტები).
3. ოპტიკური მასალები
o ინფრაწითელი ლინზებისა და ფანჯრის მასალების (მაგ., ქალკოგენიდური მინების) დამზადება კონკრეტული ტალღის სიგრძის დიაპაზონებში მაღალი გამტარობის გამო.
4. ფარმაცევტული საშუალებები
o ნედლეული წამლებისთვის (მაგ., გოგირდის მალამოები) ან რადიოიზოტოპური მარკირების მატარებლებისთვის.
5. სამეცნიერო კვლევა
o ზეგამტარი მასალების, კვანტური წერტილების ან ნანოგოგირდის ნაწილაკების სინთეზი, რომელიც მოითხოვს ულტრამაღალ სისუფთავეს.
___________________________________________
მაღალი სისუფთავის გოგირდის გაწმენდის მეთოდები სიჩუან ჯინგდინგის ტექნოლოგიის მიერ
კომპანია აწარმოებს 6N (99.9999%) ელექტრონული ხარისხის მაღალი სისუფთავის გოგირდს შემდეგი ტექნიკის გამოყენებით:
1. დისტილაცია
პრინციპი: გოგირდის (დუღილის წერტილი: 444.6°C) გამოყოფა მინარევებისაგან ვაკუუმის ან ატმოსფერული დისტილაციის გზით.
დადებითი მხარეები: სამრეწველო მასშტაბის წარმოება.
უარყოფითი მხარეები: შეიძლება შეინარჩუნოთ მინარევები მსგავსი დუღილის წერტილებით.
2. ზონური რაფინირება
o პრინციპი: გამდნარი ზონის გადაადგილება მყარ და თხევად ფაზებს შორის მინარევების სეგრეგაციის გამოსაყენებლად.
დადებითი მხარეები: აღწევს ულტრამაღალ სისუფთავეს (>99.999%).
უარყოფითი მხარეები: დაბალი ეფექტურობა, მაღალი ღირებულება; შესაფერისია ლაბორატორიული ან მცირე მასშტაბის წარმოებისთვის.
3. ქიმიური ორთქლის დეპონირება (CVD)
პრინციპი: აშლის აირისებრ სულფიდებს (მაგ., H₂S) და სუბსტრატებზე მაღალი სისუფთავის გოგირდს წარმოქმნის.
დადებითი: იდეალურია უკიდურესი სისუფთავის მქონე თხელაფენიანი მასალებისთვის.
უარყოფითი მხარეები: რთული აღჭურვილობა.
4. გამხსნელის კრისტალიზაცია
პრინციპი: გოგირდის ხელახლა კრისტალიზაცია ხდება გამხსნელების (მაგ., CS₂, ტოლუოლი) გამოყენებით მინარევების მოსაშორებლად.
დადებითი: ეფექტურია ორგანული მინარევების წინააღმდეგ.
უარყოფითი მხარეები: საჭიროებს ტოქსიკურ გამხსნელებთან შეხებას.
___________________________________________
ელექტრონული/ოპტიკური კლასის პროცესის ოპტიმიზაცია (99.9999%+)
გამოიყენება ისეთი კომბინაციები, როგორიცაა ზონური რაფინირება + CVD ან CVD + გამხსნელის კრისტალიზაცია. გაწმენდის სტრატეგია მორგებულია მინარევების ტიპებსა და სისუფთავის მოთხოვნებზე, რაც უზრუნველყოფს ეფექტურობას და სიზუსტეს.
ეს მიდგომა ასახავს, ​​თუ როგორ იძლევა ჰიბრიდული მეთოდები მოქნილი, მაღალი ხარისხის გამწმენდის საშუალებას ელექტრონიკის, ენერგიის შენახვისა და მოწინავე მასალების უახლესი აპლიკაციებისთვის.